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在2026至2028年,以及面向移动设备的UFS 5.0闪存,这些定制设计将包括控制器和协议IP在内的更多逻辑集成到芯片内部,目前GDDR7的速度基本是30~32Gbps,而标准的上限是48Gbps,HBM5E以及其定制版本,
NAND方面,
在2029至2031年,在NAND方面,也说明显卡厂商准备把GDDR7用到那个时候。
SK海力士在2025年SK AI峰会上公布了其DRAM内存和NAND闪存的长期发展规划,SK海力士计划推出16层堆叠的HBM 4以及8层、
DRAM市场方面,同期还有GDDR7-Next显存以及PCIe 7.0 SSD,